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FS-IGBT單管系列產(chǎn)品

華太電子已經(jīng)成功量產(chǎn)了1200V和650V場截止IGBT(FS-IGBT)。這些器件采用國際領(lǐng)先的第七代工藝,并采用精細溝槽柵的設(shè)計。

概覽

華太電子已經(jīng)成功量產(chǎn)了1200V和650V場截止IGBT(FS-IGBT)產(chǎn)品,F(xiàn)S-IGBT技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電力控制和汽車電子等領(lǐng)域中發(fā)揮著重要的作用,為提高效率和性能提供了先進的解決方案。
華太FS-IGBT采用國際領(lǐng)先的第七代工藝,基于精細溝槽柵器件結(jié)構(gòu)進行產(chǎn)品開發(fā),上述設(shè)計極大地優(yōu)化了IGBT導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗。此外,為適應(yīng)工業(yè)控制應(yīng)用領(lǐng)域的需求,F(xiàn)S-IGBT平臺已開發(fā)具備13us短路能力的系列產(chǎn)品。
目前,F(xiàn)S-IGBT已經(jīng)在多個領(lǐng)域得到推廣應(yīng)用,包括光伏逆變器、不間斷電源、通用變頻器、伺服驅(qū)動器以及汽車空調(diào)等應(yīng)用。
- 超低開關(guān)損耗
- 超低靜態(tài)損耗
- 內(nèi)部集成SiC肖特基二極管(SBD)或FRD可選
- 最大結(jié)溫高達175℃
- 符合JEDEC認證標(biāo)準(zhǔn)
- 提升系統(tǒng)能量轉(zhuǎn)換效率
- 降低系統(tǒng)散熱需求
- 提升系統(tǒng)功率密度
- 提高系統(tǒng)開關(guān)頻率

產(chǎn)品選型表

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命名規(guī)則

常見問題

Q:華太IGBT產(chǎn)品和其他國產(chǎn)品牌對比在性能和價格上的優(yōu)勢和劣勢是什么?

A:開關(guān)損耗較競品小30%;劣勢:di/dt偏大容易導(dǎo)致電壓應(yīng)力過大,需要外電路匹配產(chǎn)品具有很好的性價比,產(chǎn)品性能優(yōu)于國際頭部友商,價格與國內(nèi)IGBT基本持平。

Q:SJIGBT相對FSIGBT的優(yōu)缺點,需要提供相關(guān)的測試數(shù)據(jù),特別是SJ相對比現(xiàn)在FS的缺點,有碰到哪些問題?成本優(yōu)勢?供應(yīng)?還是技術(shù)還存在某些問題?是否是制約當(dāng)前SJIGBT發(fā)展的重要因素。

A:開關(guān)損耗較競品小30%;劣勢:di/dt偏大容易導(dǎo)致電壓應(yīng)力過大,需要外電路匹配。

H8G1819M10P

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