華太電子已經(jīng)成功量產(chǎn)了1200V和650V場截止IGBT(FS-IGBT)。這些器件采用國際領(lǐng)先的第七代工藝,并采用精細溝槽柵的設(shè)計。
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Q:華太IGBT產(chǎn)品和其他國產(chǎn)品牌對比在性能和價格上的優(yōu)勢和劣勢是什么?
A:開關(guān)損耗較競品小30%;劣勢:di/dt偏大容易導(dǎo)致電壓應(yīng)力過大,需要外電路匹配產(chǎn)品具有很好的性價比,產(chǎn)品性能優(yōu)于國際頭部友商,價格與國內(nèi)IGBT基本持平。
Q:SJIGBT相對FSIGBT的優(yōu)缺點,需要提供相關(guān)的測試數(shù)據(jù),特別是SJ相對比現(xiàn)在FS的缺點,有碰到哪些問題?成本優(yōu)勢?供應(yīng)?還是技術(shù)還存在某些問題?是否是制約當(dāng)前SJIGBT發(fā)展的重要因素。
A:開關(guān)損耗較競品小30%;劣勢:di/dt偏大容易導(dǎo)致電壓應(yīng)力過大,需要外電路匹配。
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